SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

Name: SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS412DN-T1-GE3 型号参数

SIS412DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电视机、话筒（麦克风）、电路板、电子罗盘、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、电子广告牌、饮水机、气体报警器、电子美容仪、计算机、音响设备、不间断电源（UPS）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V

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