SL13N45F是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 虚拟现实头盔、 交换机、 电子手表、 音响设备、 RFID读写器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SL13N45F
- 品牌：萨科微(Slkor)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电磁炉、 智能家居控制器、 智能家居控制系统、 遥控器、 电子空气净化器、 智能门锁、 计算机、 智能手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SL11P06D | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252 |
| 2SK3018W | N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA |
| NTR4003N | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：690mW |
| SL2310 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA |
| SL10N65F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W |
| SL60N06 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA |
| BSN20 | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23 |
| SL2312 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| SL13N45F | MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F |
