SL60N06_Slkor_萨科微_TO-220-3_MOSFETs

SL60N06 型号参数

SL60N06是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 OLED显示屏、电子空气净化器、音频线材、录像机、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SL60N06
品牌：萨科微(Slkor)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA

型号	参数
BSS123	SOT23 250mW
SL2302S	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL18N50F	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
SL2312	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
SL13N45F	MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
SL2301	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
SL10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W
SL8205S	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V SOT23-6
SL3407	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
2SK3018W	N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA

型号相关

热门型号