SQ2309ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SQ2309ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SQ2309ES-T1_GE3 型号参数

SQ2309ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烤箱、摄像头、 USB闪存盘、电子烤箱温度计、微波炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机充电器、直流电源、红外感应器、数码相机、台式电脑主机、 LED显示器、虚拟现实头盔、音频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
IRFRC20PBF	表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3

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