SQD25N15-52_GE3_Vishay_威世_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: SQD25N15-52_GE3_Vishay_威世_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: Vishay

SQD25N15-52_GE3 型号参数

SQD25N15-52_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如平板电脑、电路板、吉他效果器、人脸识别设备、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子词典、摄像机、专用集成电路（ASIC）、电子血压计袖带、手机、智能门锁、内存条、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4800BDY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI2306BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB

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