Si2338DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: Si2338DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

Si2338DS-T1-GE3 型号参数

Si2338DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、显示器、电视机、红外感应器、 LED显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如洗衣机、烟雾报警器、 RFID读写器、电子烤箱温度计、电饭煲、电子净水器、智能手环、计算机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI3442CDV	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
PMN50XP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
ZXMP10A18GTC-VB	MOSFETs P沟道耐压:100V 电流:3A SOT-223
VBE2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
NTR4502PT1G-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
CJ2312	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
WPM2015-3/TR	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:5A SOT-23
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
RSD050N10TL-VB

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