TC4953C_FM_富满_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: TC4953C_FM_富满_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: FM

TC4953C 型号参数

TC4953C是品牌FM富满，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车、安防摄像头、智能家居控制器、功放设备、智能安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子驱蚊器、扬声器、电子胎心监测仪、汽车、调音台、功放设备、音频线材、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2302B	30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
TC4953C	20V P 沟道增强型MOS场效应管
9926A	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W
2302P	N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
.8205A	沟道增强型 MOS 场效应管 20V 6A 22mΩ@4.5V,4.5A 2W 1.5V@250uA 74.69pF@8V 2PCSNChannel(Common Drain) 522.3pF@8V 6.24nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-6
3401L	P 沟道增强型 MOS 场效应管 SOT23 VDS=18V ID=3.5A
2301A	9V P 沟道增强型 MOS 场效应管
TC2309	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V
SC8205A	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A
8205B	20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

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