TPH2R608NH,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压手环、 电子罗盘、 电路板、 投影仪、 心电图仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：TPH2R608NH,L1Q
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 射频连接器、 智能手机、 调制解调器、 吸尘器、 指纹识别器、 电子气压计、 智能家居控制器、 触摸屏 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3J56MFV,L3F(T | Load Switching Applications |
| 2SK3569 | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F |
| SSM3J334R,LF(T | VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| SSM3J338R,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F |
| SSM3J332R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3J132TU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3 |
| SSM3K341R,LF | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
