TPH2R608NH_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

Name: TPH2R608NH_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs
Brand: Toshiba

TPH2R608NH,L1Q 型号参数

TPH2R608NH,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、 LED照明灯、蓝牙音箱、电子美容仪、整流器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摩托车、 DVD播放器、路由器、电磁炉、电动自行车、电子体温计探头、集成电路板、电子脱毛器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA

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