UF630G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: UF630G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: UTC

UF630G-TN3-R 型号参数

UF630G-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如复印机、无线网卡、专用集成电路（ASIC）、示波器、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能音箱、热水器、血糖仪、光纤连接器、电子空气净化器、扫地机器人、摩托车、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
UT3N06G-AE3-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252

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