UTT10NP06G-S08-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 显卡、 触摸屏、 微波炉、 专用集成电路（ASIC）、 电子咖啡机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：UTT10NP06G-S08-R
- 品牌：友顺(UTC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 虚拟现实头盔、 音频功率放大器、 电子体温计探头、 气体报警器、 调音台、 电子签到系统、 无人机、 智能手环 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| UT3N06G-AE3-R | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23 |
| UTM6016G-SO8-R | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252 |
| UT4421G-SO8-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W |
| 2N60L-TN3-R | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252 |
| 12N80L-TF2-T | N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F |
| UT2305G-AE3-R | MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23 |
| 15N10L-TN3-R | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W |
| UT9435HG-AA3-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W |
| UF640L-TN3-R | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W |
| 1N60L-T92-K | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W |
