VBE2658_VBsemi_微碧_TO252AA_MOSFETs

Name: VBE2658_VBsemi_微碧_TO252AA_MOSFETs
Brand: VBsemi

VBE2658 型号参数

VBE2658是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、智能手机、热水器、笔记本电脑、电子词典，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 CT扫描仪、电动车、集成电路板、 LCD显示屏、路由器、电动工具、血糖仪、电子琴等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2N7002KB	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
AP2307GN	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRLR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
SSM3K7002F	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
VBL2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263
IRFR3411TRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:40A TO-252
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
VBE2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
VB1102M	Vds=100V Id=1.6A SOT23
P9006EDG	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO252AA

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