WNM6001-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

WNM6001-3/TR 型号参数

WNM6001-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如示波器、指纹识别器、不间断电源（UPS）、液晶显示器、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WPM3401-3/TR	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET

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