WSD100N06GDN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: WSD100N06GDN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSD100N06GDN56 型号参数

WSD100N06GDN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、电子游戏机手柄、摩托车、智能手机、门禁系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电视机、音频功率放大器、直流电源、血糖仪、平板电脑、电子按摩器、烤箱、移动硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WST2339	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOT23-3
WSD40120DN56G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W
WSP4406	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=12mΩ@10V SOP8_150MIL
WST3403	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.5A RDS(ON)=75mΩ@4.5V SOT23N
WSP8810	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
WST3052	MOSFET SOT323 N-Channel ID=2.5A
WSP4620	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8.8A,8.6A RDS(ON)=24mΩ,32mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF12N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=220mΩ@10V
WSD80120DN56	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W
WSP9926A	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=25mΩ@10V SOP8_150MIL

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