AP2012是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 整流器、 电子胎心监测仪、 扫描仪、 电子体重秤、 移动硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AP2012
- 品牌：铨力(ALLPOWER)
- 分类：MOSFETs
- 参数：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电动车、 扫描仪、 示波器、 实验室离心机、 心电图仪、 遥控器、 音频线材、 摄像头 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AP2302 | SOT23 350mW |
| AP6007S | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W |
| AP4580 | 2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W |
| AP2N7002 | N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A |
| AP4953A | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W |
| AP2317A | MOSFETs SOT-23-3 Single P-Channel |
| AP15N10K | MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V |
| AP2302B | SOT23 0.35W |
| AP2316 | N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A |
| AP4616 | 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W |
