AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 冰箱、 现场可编程门阵列（FPGA）、 电子阅读器、 电子计算器、 集成电路板 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AP2012S
- 品牌：铨力(ALLPOWER)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子空气净化器、 功放器、 游戏机、 模拟信号处理器（ASP）、 安防摄像头、 摩托车、 计算机、 音频功率放大器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AP4085G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W |
| AP4606C | 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5/-5.8A 功率(Pd)：15W |
| AP3003 | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A |
| AP20P30Q | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W |
| AP2N7002 | N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A |
| AP3400 | N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A |
| AP4616 | 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W |
| AP3910GD | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W |
| AP15N10K | MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V |
| AP90N03Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W |
