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ASDM60DN30Q-R_ASDsemi_安森德_DFN8_5X6MM_MOSFETs

ASDM60DN30Q-R 型号参数

ASDM60DN30Q-R是品牌ASDsemi安森德，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 指纹识别器、 红外感应器、 录像机、 人脸识别设备、 空调 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

  • 型号：ASDM60DN30Q-R
  • 品牌：安森德(ASDsemi)
  • 分类：MOSFETs
  • 参数：MOSFETs Dual N-沟道 60V 30A 14mΩ@10V 40W DFN8_5X6MM

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 MRI扫描仪、 扫地机器人、 数码相机、 单片机、 电子净水器、 MP3播放器、 电磁炉、 电子按摩器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号 参数
ASDM7002EZA-R MOSFETs N-沟道 60V 0.3A 1.6Ω@10V 360mW SOT23-3
ASDM40N80KQ-R MOSFETs N-沟道 40V 80A 4mΩ@40V 4.2W TO252
ASDM40R032NQ-R MOSFETs N-沟道 40V 85A 3.8mΩ@10V 83W DFN8_5X6MM
ASDM3400AZA-R MOSFETs N-沟道 30V 5.6A 21mΩ@4.5V 1.4W SOT23-3
ASDM20N12ZB-R MOSFETs N-沟道 20V 12A 11.5mΩ@4.5V 1.14W SOT23-3L
ASDM100R066NQ-R MOSFETs N沟道 100V 68A 10.5mΩ@4.5V,11.5A DFN5x6-8
ASDM100R045NP-T MOSFETs N沟道 100V 135A 5mΩ@10V,20A TO-220
ASDM20N16E-R MOSFETs N-沟道 20V 16A 8.7mΩ@4.5V 1W PDFN8_3.3X3.3MM
ASDM3407ZB-R MOSFETs P-沟道 30V 4.1A 40mΩ@10V 1.5W SOT23-3
ASDM100P13KQ-R MOSFETs P沟道 100V 13A 200mΩ@10V,16A TO-252
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