IPP045N10N3G是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压计、 显卡、 智能手表、 电子手表、 电子游戏机手柄 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：IPP045N10N3G
- 品牌：英飞凌(Infineon)
- 分类：MOSFETs
- 参数：通孔 N 通道 100 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 液晶显示器、 无人机、 电子游戏机手柄、 网卡、 智能音箱、 整流器、 电子空气净化器、 智能安防摄像头 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| IRF7465TRPBF | 功率MOSFET |
| IPP034NE7N3G | 75V 100A 214W 3.4mΩ@100A,10V 3.8V@155uA N Channel 8130pF@37.5V 117nC@10V -55℃~+175℃@(Tj) TO-220-3 MOSFETs ROHS |
| BSC010NE2LSATMA1 | MOSFETs N-Channel VDS=225V VGS=±20V ID=242mA RDS(ON)=1.3Ω@4.5V PGTDSON8 |
| IRFP4227PBF | 通孔 N 通道 200 V 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC |
| IRFS7530TRL7PP | MOSFETs 60V 375W SMT D2PAK-7 338A N-Channel |
| BSC009NE2LS5IATMA1 | MOSFETs 25V 74W SMT PGTDSON8_6.35X5.35MM-EP 217A N-Channel |
| IPP034NE7N3 G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA; |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 | MOSFETs 700V 22.7W SMT TO252 8.2A N-Channel |
| BSC072N08NS5 | BSC072N08NS5 |
| IRF9Z24NPBF | MOSFETs P-channel VDS=55V ID=12A TO220AB |
