IRLML6401是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子美容仪、 稳压电源、 热水器、 逆变器、 遥控器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：IRLML6401
- 品牌：萨科微(Slkor)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 信号发生器、 GPS定位器、 电动车充电器、 汽车、 电路板、 电子琴、 电子广告牌、 电子罗盘 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SL11N65CF | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| SL2301S | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA |
| 2N7002E | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA |
| SL2308 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：1.25W |
| SL60N06 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA |
| SL3406 | N沟道功率MOSFET 30V 5.6A 21mΩ@10V,29A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 |
| SL2310 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA |
| BSS123 | SOT23 250mW |
| SL8205S | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V SOT23-6 |
| SL2300 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
