MMBT5551T是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子搅拌器、 OLED显示屏、 血糖仪、 摄像头、 热水器 ，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：MMBT5551T
- 品牌：创基(CBI)
- 分类：通用三极管
- 参数：通用三极管 NPN 电流:600mA 耐压:160V SOT-523
应用场景
通用三极管可应用场景，如 逆变器、 USB闪存盘、 电动车充电器、 网卡、 智能照明系统、 变压器、 交换机、 话筒（麦克风） 等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| MMBTSC2712 | NPN硅外延平面晶体管 VCEO=50V,IC=150mA(max),hFE=70~700 |
| MMBTSC2412 | SOT23-3,NPN,VCEO=50V,150mA |
| MMDT5551DW | 塑料封装晶体管，双NPN |
| BC857DW | 塑料封装晶体管，双晶体管（NPN+NPN） |
| 2SB772PU | 三极管 |
| MMDT3904DW | 三极管 |
| S8050T | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：0.5A 功率(Pd)：300mW |
| S9012 | 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) |
| C945 | 功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 晶体管类型：NPN |
| MMDT3946DW | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) |
