Name: MUN5312DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5312DW1T1G 型号参数

MUN5312DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、 OLED显示屏、汽车、机器人、集成电路板，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如 MP4播放器、实验室离心机、电子阅读器、电磁炉、光纤连接器、电动自行车充电器、音频功率放大器、电动工具等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2232LT1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MUN5233DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59