NCE01H10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 音频功率放大器、 电动车充电器、 电子体温计探头、 电子脱毛器、 电子咖啡机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01H10D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 路由器、 3D打印机、 电子琴、 电路板、 无人机、 B超机、 电源供应器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0205IA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W |
| NCEP1520K | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0103M | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
