NCE6075K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 单片机、 复印机、 RFID读写器、 话筒（麦克风）、 无人机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE6075K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 音响设备、 频谱分析仪、 计算机、 话筒（麦克风）、 DVD播放器、 数码相机、 汽车、 智能音箱 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE8295AK | MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L |
| NCE60H15A | N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30P15S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W |
| NCE3090K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W |
