NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 蓝牙耳机、 汽车电子控制系统、 逻辑分析仪、 扫地机器人、 逆变器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP02T10D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 汽车、 固态硬盘、 模拟信号处理器（ASP）、 智能安防摄像头、 微波炉、 电源供应器、 单片机、 OLED显示屏 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCE8295AK | MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L |
| NCE6050KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCE60P12K | P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2 |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
