SI3139KE-TP是品牌MCC美微科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 计算机、 耳机、 调制解调器、 汽车、 电子搅拌器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI3139KE-TP
- 品牌：美微科(MCC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道MOSFET，VDS:-20V CISS:170pF
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 GPS定位器、 智能手表、 光纤连接器、 电子血压手环、 电子除湿机、 CT扫描仪、 显卡、 电子湿度计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| BSS138AKDW-TP | 双N沟道MOSFET VDS=50V ID=0.22A PD=0.35W SOT363 |
| SI2301-TP | P沟道增强型场效应晶体管 |
| SI2301A-TP | P-沟道 MOSFET SOT23 |
| SI2305B-TP | MOSFET P-沟道 20V 4.2A SOT23 |
| 2SK3018-TP | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：0.2W |
| SI2324A-TP | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.2W |
| BSS138-TP | 50V 220mA 3.5Ω@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23-3 |
| SI2333-TP | MOSFETs P-channel VDS=12V ID=6A SOT23 |
| 2N7002-TP | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW |
| SI3407-TP | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
