UMW 4N65F是品牌UMW友台,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 电子琴、 耳机、 整流器、 电子体温计探头、 电路板 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:UMW 4N65F
- 品牌:友台(UMW)
- 分类:MOSFETs
- 参数:MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2.8Ω@10V TO220F
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 电动车充电器、 电子体温计探头、 电子词典、 电子书阅读器、 扫地机器人、 热水器、 微处理器、 复印机 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AO4459 | P沟道MOSFET VDS=30V ID=6.5A PD=3.1W SOP8ET |
| UMW 5N65F | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=5A RDS(ON)=2Ω@10V TO220F |
| IRLML5203 | MOSFETs 30V 3A SOT-23 |
| UMW 8205A | SOT23-6 SMT 20V 5A |
| 2N7002B | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA Pd=225mW SOT23 |
| SI2310A | MOS 管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=1.38W SOT23 |
| UMW 4N65F | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2.8Ω@10V TO220F |
| AO3416A | MOSFETs N沟道 20V 6A 51mΩ@1.8V,5A SOT-23 |
| IRLML6402 | P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):1.3W |
| FDN335N | N沟道20-V(D-S)MOSFET ID=1.7A PD=1W SOT23 |