1N5819_MDD_辰达半导体_DO-41_肖特基二极管

Name: 1N5819_MDD_辰达半导体_DO-41_肖特基二极管
Brand: MDD

1N5819 型号参数

1N5819是品牌MDD辰达半导体，研发制造的肖特基二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、电子游戏机手柄、无人机、电动自行车充电器、电子血压手环，肖特基二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

肖特基二极管可应用场景，如电子书阅读器、电子罗盘、电动自行车充电器、虚拟现实头盔、频谱分析仪、电子助听器、电子脱毛器、移动硬盘等，想要了解更多肖特基二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SS510	封装：SMA参数：VRM=600V，IO=0.8A，IFSM=30A，VF=1.0V，IR=5uA
SS3200B	封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):950mV@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A
SS34	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:3A
SS2200	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):950mV@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
MBRF20200CT	封装：ITO-220AB 参数：VRM=1000V，IO=0.8A，VF=1.1V，IR=5uA
SS56	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
SS310C	封装:SMC(DO-214AB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@3A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:3A
SS3200	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):950mV@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A
ST2045	封装:TO-277 二极管配置:独立式正向压降(Vf):470mV@20A 直流反向耐压(Vr):45V 整流电流:20A
SS1150	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):900mV@1A 直流反向耐压(Vr):150V 整流电流:1A

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