1N5819_MDD_辰达半导体_DO-41_肖特基二极管

Name: 1N5819_MDD_辰达半导体_DO-41_肖特基二极管
Brand: MDD

1N5819 型号参数

1N5819是品牌MDD辰达半导体，研发制造的肖特基二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、 RFID读写器、电子空气净化器、电子除湿机、冰箱，肖特基二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

肖特基二极管可应用场景，如智能音箱、交换机、微处理器、光纤连接器、 USB闪存盘、声卡、 X光机、手机等，想要了解更多肖特基二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SS54	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@5A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:5A
DSK26	肖特基二极管 VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA
SS36B	封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):700mV@3A 直流反向耐压(Vr):60V 整流电流:3A
SS310	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@3A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:3A
DSK26	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):700mV@2A 直流反向耐压(Vr):60V 整流电流:2A
SR5100	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:5A 反向电流(Ir):500uA@100V
ST36F	封装：SMAF 参数：VR=100V IF=3A VF=0.6V IR=0.1mA
SS110	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@1A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:1A
SS510B	封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:5A
SS26	封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=1000V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS

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