2N7002DW是品牌YANGJIE扬杰科技，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、 X光机、 吉他效果器、 音频功率放大器、 智能安防摄像头 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2N7002DW
- 品牌：扬杰科技(YANGJIE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 汽车电子控制系统、 心电图仪、 可编程逻辑控制器（PLC）、 CT扫描仪、 电子脱毛器、 笔记本电脑、 B超机、 实验室离心机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| YJL2312A | N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L |
| YJL03N06A | N-Channel VDS=60V ID=3A RDS(on)=120mΩ@VGS=4.5V |
| YJL2300A | N沟道增强型场效应晶体管 |
| YJL05N06AL | MOSFETs N-CH 60V 5A 35mΩ@10V,5A SOT23-3L |
| YJL3139KAT | MOSFETs P-沟道 20V 500mA SOT-723-3 |
| YJD18GP10A | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252 |
| YJL1012E | n通道增强模场效应晶体管 |
| YJL3401A | P沟道增强型场效应晶体管 4.4A 1.2W SOT23 |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW |
| YJG95G06A | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=2.5mΩ@10V |
