CSD19532KTTT_TI_德州仪器_TO263-3_MOSFETs

CSD19532KTTT 型号参数

CSD19532KTTT是品牌TI德州仪器，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、电动自行车、智能手环、微波炉、数字信号处理器（DSP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
CSD13381F4	N沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：500mW
CSD17307Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=-8V,+10V ID=73A RDS(ON)=10.5mΩ@8V VSONP8
CSD17313Q2T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=-8V,+10V ID=5A RDS(ON)=30mΩ@8V WSON6
CSD19532KTTT	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=5.6mΩ@10V TO263-3
CSD17313Q2	WSON6_2X2MM
CSD17577Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=53W VSONP_5X6MM
CSD19538Q3A	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A P=53W VSONP8_3.25X3.1MM
CSD18532Q5B	表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
CSD18504Q5A	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=6.6mΩ@10V VSONP8
CSD13380F3	PICOSTAR3 1.4W

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