HSM6115是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子词典、 电子胎心监测仪、 电子搅拌器、 功放设备、 电子广告牌 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSM6115
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 集成电路板、 平板电脑、 LED照明灯、 电子除湿机、 打印机、 笔记本电脑、 虚拟现实头盔、 音频功率放大器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSBA4115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM |
| HSM0228 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W |
| AO3415 | MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L |
| HSU0139 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W |
| AO3400A | MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23 |
| BSS84 | SOT23 350mW |
| HSU4115 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W |
| HSU4103 | MOSFETs P-沟道 40V 27A 46mΩ@4.5V TO252 |
| HSBB6056 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：27.8W |
| HSM4113 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W |
