IPB042N10N3GATMA1_Infineon_英飞凌_TO263-3_MOSFETs

Name: IPB042N10N3GATMA1_Infineon_英飞凌_TO263-3_MOSFETs
Brand: Infineon

IPB042N10N3GATMA1 型号参数

IPB042N10N3GATMA1是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、无线网卡、示波器、电子血压手环、显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车电子控制系统、电动工具、电饭煲、遥控器、游戏机、音响设备、数码相机、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF7389TRPBF	MOSFETs VDS1=30V ID1=7.3A VDS2=30V ID2=5.3A SOIC8_150MIL
IRFB3306PBF	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=160A TO220AB
IRFZ48NPBF	MOSFETs N-Channel VDS=55V ID=64A TO220AB
BSC030P03NS3G	MOSFETP-CH30V100ATDSON-8
IRFP3710PBF	通孔 N 通道 100 V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
BSC098N10NS5	N沟道 Vds:100V Id:60A Pd:2.5W
IRLML2246TRPBF	MOSFETs 20V 1.3W SMT SOT23 2.6A P-Channel
IRF100B201	MOSFETs 100V 441W DIP TO220AB 192A N-Channel
IRLML6401TRPBF	表面贴装型 P 通道 12 V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;

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