MUN5111DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

Name: MUN5111DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5111DW1T1G 型号参数

MUN5111DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逻辑分析仪、音频功率放大器、电子按摩器、专用集成电路（ASIC）、智能照明系统，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如 OLED显示屏、电动自行车充电器、安防摄像头、耳机、模拟信号处理器（ASP）、台式电脑主机、微波炉、微处理器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5233DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363

型号相关

热门型号