NCE0130KA是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 摄像机、 智能照明系统、 摄像头、 音响设备、 红外感应器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE0130KA
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：TO252 SMT 100V 30A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 血糖仪、 光纤连接器、 计算机、 MRI扫描仪、 电子烤箱温度计、 摄像头、 吉他效果器、 稳压电源 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE0205IA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W |
| NCEP85T16 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE3090K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCE6003X | MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W |
