NCE65T1K2F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能安防摄像头、 电子白板、 电子助听器、 手机充电器、 电磁炉 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T1K2F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 气体报警器、 整流器、 电子美容仪、 智能插座、 安防监控系统、 智能门锁、 遥控器、 无线网卡 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
| NCE4080 | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE6045XG | |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE8295AK | MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
