PSMN2R9-30MLC_115_Nexperia_安世_SOT-1210_MOSFETs

Name: PSMN2R9-30MLC_115_Nexperia_安世_SOT-1210_MOSFETs
Brand: Nexperia

PSMN2R9-30MLC,115 型号参数

PSMN2R9-30MLC,115是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、液晶显示器、机械硬盘、网卡、烤箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微处理器、音频功率放大器、射频连接器、电子脱毛器、电子净水器、打印机、复印机、智能家居控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BUK9M20-40HX	MOS管 N-channel Id=25A VDS=40V SOT1210
PHD101NQ03LT,118	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=5.5mΩ@10V TO252
PSMN018-100PSFQ	MOS管 N-channel Id=53A VDS=100V SOT78
PSMN1R3-30YL,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT1023
PSMN4R3-100ES,127	MOS管 N-channel Id=120A VDS=100V SOT226
PSMN3R5-80ES,127	MOS管 N-channel Id=120A VDS=80V SOT226
PMCPB5530X,115	MOS管 N-channel,P-channel Id=5.3A VDS=20V DFN2020-6
PSMN038-100YLX	MOS管 N-channel Id=30A VDS=100V SOT669
PMF63UNEX	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
PMV160UP,215	MOSFETs 20V 335mW SMT SOT23 1.2A P-Channel

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