SI2302DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2302DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2302DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频信号处理器、智能插座、吸尘器、模拟信号处理器（ASP）、无线网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
RSR020N06TL	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
AF2301P-VB	MOSFETs P-沟道 SOT-23
RYU002N05T306-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:300mA SC-70-3
AO3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
AO7400-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
IRFR3710ZTRPBF	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
VBJ2102M	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=200mΩ@10V SOT223
AO4800	MOS管双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
STS12NF30L-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V SOP-8
AO3419	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

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