SI2312BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2312BDS-T1-GE3 型号参数

SI2312BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、智能家居控制系统、网卡、直流电源、频谱分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SI4800BDY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
SIA906EDJ-T1-GE3	VDS=20V ID=4.5A PD=1.9W 2 N-Channel PowerPAK SC70-6L MOSFETs ROHS
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

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