SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2365EDS-T1-GE3 型号参数

SI2365EDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、心电图仪、音频功率放大器、路由器、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、电子胎心监测仪、摄像头、逻辑分析仪、蓝牙音箱、音响系统、电源供应器、固态硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SI2306BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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