SI7619DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

Name: SI7619DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7619DN-T1-GE3 型号参数

SI7619DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、交流电源、电子血压手环、电子琴、模拟信号处理器（ASP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电饭煲、声卡、摩托车、安防摄像头、音频线材、移动硬盘、虚拟现实头盔、智能家居控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8

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