SI7884BDP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7884BDP-T1-GE3 型号参数

SI7884BDP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机械硬盘、微波炉、电子词典、游戏机、音频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB

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