SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

Name: SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7898DP-T1-GE3 型号参数

SI7898DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、网卡、门禁系统、 RFID读写器、电饭煲，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如内存条、电子签到系统、电子榨汁机、万用表、扬声器、电子净水器、直流电源、电子计算器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
SI2337DS-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI3456DDV-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263

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