SQ2310ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2310ES-T1_GE3 型号参数

SQ2310ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如游戏机、笔记本电脑、烤箱、虚拟现实头盔、专用集成电路（ASIC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC

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