SQ2310ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SQ2310ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SQ2310ES-T1_GE3 型号参数

SQ2310ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、打印机、计算机、调制解调器、电子净水器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如笔记本电脑、视频线材、电子温度计、智能门锁、电子翻译器、稳压电源、复印机、蓝牙耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V

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