US1G是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 笔记本电脑、 电路板、 整流器、 专用集成电路（ASIC）、 电子气压计 ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：US1G
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 电饭煲、 电动车、 OLED显示屏、 电子秤、 音频线材、 安防监控系统、 电动车充电器、 CT扫描仪 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| RS2M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A |
| FR107 | 封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| FR307 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| US1G | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A |
| US1D | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A |
| US3MC | 封装:SMC 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A |
| US2M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A |
| SOD1F7 | 封装:SOD-123 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| MUR4100 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.8V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| US1MF | 封装:SMAF 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
