W25Q128JVEIQ TR_WINBOND_华邦_WSON8EP_NAND FLASH

W25Q128JVEIQ TR 型号参数

W25Q128JVEIQ TR是品牌WINBOND华邦，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、烟雾报警器、电子门锁、射频连接器、示波器，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：W25Q128JVEIQ TR
品牌：华邦(WINBOND)
分类：NAND FLASH
参数：封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:128Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):200us

NAND FLASH可应用场景，如调制解调器、电子搅拌器、电子秤、吉他效果器、网卡、门禁系统、 MP4播放器、万用表等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
W25N01GVZEIG	封装:WSON-8-EP(6.1x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us
W29N02KVSIAF	封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns 页写入时间(TPP):250us
W25N04KVZEIR	封装:WSON-8(6x8) 存储容量:4Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us
W25Q128JVEIQ TR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:128Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):200us
W25N02KVZEIR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us
W25N01GVZEIG	封装:WSON-8-EP(6.1x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us
W29N01HVSINA	封装:TSOPI-48 存储容量:1Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns 页写入时间(TPP):250us

型号相关

热门型号