WSD2075DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 现场可编程门阵列（FPGA）、 电子血压手环、 电子厨房计时器、 汽车电子控制系统、 3D打印机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WSD2075DN
- 品牌：微硕(WINSOK)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：23W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能插座、 整流器、 电子体重秤、 功放器、 电子词典、 智能手机、 电子脱毛器、 无人机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WSD40P10DN56 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W |
| WSF15N10 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=100mΩ@10V |
| WSD4038DN | MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=38A RDS(ON)=13mΩ@10V |
| WST6401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：0.7W |
| WSD20L50DN | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=50A RDS(ON)=11mΩ@4.5V |
| WSP4409 | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=7.2mΩ@10V SOP8_150MIL |
| WSF30P06 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W |
| WSF35P06 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：13.5A 功率(Pd)：31.3W |
| WSF07N10 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=250mΩ@10V |
| WSD3066DN | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=66A RDS(ON)=5.7mΩ@10V |
