WSD3075DN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 复印机、 电子门锁、 数码相机、 电磁炉、 电子血压计袖带 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WSD3075DN56
- 品牌：微硕(WINSOK)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 吸尘器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 实验室离心机、 冰箱、 空调、 电动车充电器、 电源供应器、 万用表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WST2005 | MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.6A |
| WSR7N65F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：48W TO220F |
| WSD30160DN56 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V |
| WSD4050DN | MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V |
| WSR60N06 | MOSFET TO220AB N-Channel ID=60A |
| WSF30100 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A RDS(ON)=3mΩ@10V TO252 |
| WSD6040DN56 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：37.8W |
| WSD1614DN | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：550mW DFN1X0.6-3L |
| WSF4060 | MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=9mΩ@10V TO252 |
| WSD20L75DN | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=75A RDS(ON)=6mΩ@4.5V |
