WSF20N20G_WINSOK_微硕_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: WSF20N20G_WINSOK_微硕_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSF20N20G 型号参数

WSF20N20G是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、电动自行车充电器、 MRI扫描仪、电子空气净化器、电子广告牌，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子体温计探头、电子血压手环、手机、智能手环、电子血压计袖带、红外感应器、音频线材、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSF3012	MOS管 N-channel,P-channel VDS=30V VGS=±20V ID=23A,15A RDS(ON)=18mΩ,29mΩ@10V TO252-4
WSP06N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=105mΩ@10V SOP8_150MIL
WST6066A	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.1A RDS(ON)=110mΩ@4.5V SOT23-3
WST3408	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=32mΩ@10V SOT23-3
WSF3038	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=38A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
WST6225	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.1A RDS(ON)=55mΩ@4.5V SOT23N
WSR80N10	MOSFET TO220AB N-Channel ID=85A
WST3404A	N-Ch MOSFET
WSF50P10	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W,
WSC40N06	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W

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