WSF6012_WINSOK_微硕_TO252-4_MOSFETs

WSF6012 型号参数

WSF6012是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如实验室离心机、电子温度计、遥控器、电动车充电器、手机充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：WSF6012
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A,15A RDS(ON)=37mΩ,60mΩ@10V TO252-4

型号	参数
WSP4807	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=8.9A RDS(ON)=21mΩ@10V SOP8_150MIL
WST4041	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=40mΩ@10V SOT23-3
WST2316A	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
WSP6067	MOS管 N-channel,P-channel VDS=60V VGS=±20V ID=6.5A,4.5A RDS(ON)=36mΩ,75mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD3067DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
WSP4953	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
WSC5N20A	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=5A RDS(ON)=600mΩ@10V
WSP8205	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=27mΩ@10V TSSOP8
WST6401	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：0.7W
WST3414	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3

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