WSK180N04_WINSOK_微硕_TO263-2_MOSFETs

Name: WSK180N04_WINSOK_微硕_TO263-2_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSK180N04 型号参数

WSK180N04是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、电子按摩器、交换机、电子榨汁机、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显示器、吉他效果器、电子胎心监测仪、网卡、电子计算器、声卡、电子白板、微处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSD6056DN56	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：45W
WSP4435	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8.2A RDS(ON)=20mΩ@10V SOP8_150MIL
WST4044
WSF3085	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=5.5mΩ@10V TO252
WST3078	MOSFET SOT23-6 N + P Channel ID=3.5A，ID=3A
WSP8810	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
WSD30L30DN	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
WSD75100DN56	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±25V ID=50A RDS(ON)=6.4mΩ@10V
WST2337A	P沟道漏源电压(Vdss)：15V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：1.4W
WSD3067DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W

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