CAT25010VI-GT3是品牌onsemi安森美,研发制造的EEPROM产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 OLED显示屏、 游戏机、 电源供应器、 智能插座、 内存条 ,EEPROM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:CAT25010VI-GT3
- 品牌:安森美(onsemi)
- 分类:EEPROM
- 参数:封装:SOIC-8 接口类型:SPI 存储容量:1Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms
应用场景
EEPROM可应用场景,如 直流电源、 手机充电器、 无人机、 电子广告牌、 电子罗盘、 电子灭蚊灯、 摄像头、 固态硬盘 等,想要了解更多EEPROM相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NV24C16DWVLT3G | 封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:16Kbit 工作电压:1.7V~5.5V 写周期时间(Tw):4ms |
| CAT25160VI-GT3 | 封装:SOIC-8 接口类型:SPI 存储容量:16Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT24C256HU4IGT3 | 封装:UDFN-8(2x3) 接口类型:I2C 存储容量:256Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAV24C02WE-GT3 | 封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:2Kbit 工作电压:2.5V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT25256VI-GT3 | 封装:SOIC-8 接口类型:SPI 存储容量:256Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT34C02VP2IGT4A | 封装:TDFN-8-EP(2x3) 接口类型:I2C 存储容量:2Kbit 工作电压:1.7V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT25020HU4I-GT3 | 封装:SMD 接口类型:SPI 存储容量:2Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT24C512XI-T2 | 封装:SOIC-8-208mil 接口类型:I2C 存储容量:512Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 工作温度:-40℃~+85℃ |
| CAT24C32WI-GT3 | 封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:32Kbit 工作电压:1.7V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |
| CAT24C256WI-GT3 | 封装:SOIC-8 接口类型:I2C 存储容量:256Kbit 工作电压:1.8V~5.5V 写周期时间(Tw):5ms |