DMN65D8LFB-7B是品牌DIODES美台，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 机器人、 交流电源、 电子琴、 烟雾报警器、 OLED显示屏 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：DMN65D8LFB-7B
- 品牌：美台(DIODES)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 60 V 260mA（Ta） 430mW（Ta） X1-DFN1006-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 空调、 电子计算器、 电子签到系统、 烤箱、 电动自行车、 DVD播放器、 微波炉、 功放设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| DMP2035UVT-7 | MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT TSOT26 6A P-Channel |
| DMN1019USN-7 | 12V N沟道增强型MOSFET ID=9.3A SC59 |
| 2N7002AQ-7 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=180mA RDS(ON)=6Ω@5V SOT23-3 |
| DMC2038LVT-7 | TSOT26 800mW |
| DMN2300U-7 | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 |
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFETs 20V 1.00 x 0.60mm SMT X2-DFN1006-3 240mA N-Channel |
| DMN10H220L-7 | MOSFETs 100V 2.90 x 1.30mm SMT SOT23 1.6A N-Channel |
| ZXMP6A17E6TA | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA |
| DMN26D0UT-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC4047LSD-13 | 互补对增强型MOSFET SOIC8 N沟道：VDS=40V ID=7A VGS=±20V P沟道：VDC=40V ID=5.1A VGS=±20V |
